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电子元器件详细资料 » IC[18324] » FDG6308P
型号:FDG6308P类别:FET - 阵列制造商:Fairchild Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C600mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C400 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs2.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds153pF @ 10V
功率_最大300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6
包装剪切带 (CT)

FDG6308P相关型号

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